日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）推出通过aec-q101认证、全球先进的p沟道80 v trenchfet? mosfet---sqja81ep。新型vishay siliconix sqja81ep导通电阻达到80 v p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。sqja81ep采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm powerpak? so-8l小型单体封装，10 v条件下最大导通电阻仅为17.3 m /典型值为14.3 m 。

日前发布的汽车级mosfet导通电阻比最接近的dpak封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。sqja81ep 10 v条件下优异的栅极电荷仅为52 nc，减少栅极驱动损耗，栅极电荷与导通电阻乘积，即用于功率转换应用的mosfet优值系数（fom）达到业界出色水平。

器件可在+175 c高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和led照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，sqja81ep鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（aoi）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。

器件80 v额定电压满足12 v、24 v和48 v系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。mosfet提高了功率密度，从而减少需要并联的元器件数量，节省pcb空间。此外，作为p沟道器件，sqja81ep可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需的电荷泵。 mosfet采用无铅（pb）封装、无卤素、符合rohs标准，经过100 % rg和uis测试。

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