东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48v电气系统应用的新型100v n沟道功率mosfet。该系列包括具备低导通电阻的“xph4r10anb”-其漏极电流为70a，以及“xph6r30anb”-其漏极电流为45a。批量生产和出货计划于今天开始。

mosfet产品图

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型sop advance（wf）封装的车用100v n沟道功率mosfet。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型mosfet的低导通电阻有利于降低设备功耗；xph4r10anb拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用：

●汽车设备

电源装置（dc-dc转换器）和led头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）

特性：

●东芝的首款[1]100v车用产品使用小型表面贴装sop advance（wf）封装

●通过aec-q101认证

●低导通电阻：

rds(on)=4.1mΩ（最大值）@vgs=10v（xph4r10anb）

rds(on)=6.3mΩ（最大值）@vgs=10v（xph6r30anb）

●采用可焊锡侧翼端子结构的sop advance（wf）封装

主要规格：

（除非另有说明，@ta=25°c）

器件型号

xph4r10anb

xph6r30anb

极性

n沟道

绝对最大额定值

漏源极电压

vdss

（v）

100

漏极电流

（dc）

id

（a）

70

45

漏极电流

（脉冲）

idp

（a）

210

135

沟道温度

tch

（℃）

175

漏源极导通电阻

rds(on)最大值

（mω）

@vgs=6v

6.2

9.5

@vgs=10v

4.1

6.3

沟道至外壳热阻

zth(ch-c)

最大值

@tc=25℃

（℃/w）

0.88

1.13

封装

sop advance（wf）

产品系列

u-mosviii-h

u-mosviii-h

注释：

[1] 截至2019年12月25日

[2] 在同样规格的产品中，截至2019年12月25日。东芝调查。

（转载）

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