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济南plc控制柜生产厂家利瑞电气领先信誉
2024-05-12 21:30    6107 来源:商洛之窗

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来源网络发布时间:2019-04-15 01:11:01

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igbt 的伏安特性是指以栅源电压 ugs 为参变量时,漏极电流与 栅极电压之间的关系曲线,输出漏极电流比受栅源电压 ugs 的控制ugs 越高,id 越大,它与 gtr 的输出特性相似.也可分为饱和 区 放大区 和击穿特性 部分在截止状态下的 igbt,正向电 压由 j 结承担,反向电压由 j 结承担如果无 n 缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入 n 缓冲区后反向关断电压只 能达到几十伏水平,因此限制了 igbt 的某些应用范围,igbt 的转移特性是指输出漏极电流 id 与栅源电压 ugs 之间的 关系曲线。

它与 mosfet的转移特性相同,当栅源电压小于开启电 压 ugs(th) 时,igbt 处于关断状态在 igbt 导通后的大部分漏济南伺服控制柜供应商极电 流范围内,id 与 ugs 呈线性关系,最高栅源电压受最大漏极电流限 制其最佳值一般取为 v 左右,igbt 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系,igbt 处于导通态时由于它的 pnp 晶体管为宽基区晶体管,所以其 b值 极低,尽管等效电路为达林顿结构但流过 mosfet 的电流成为 igbt 总电流的主要部分,此时,通态电压 uds(on)可用下式表示,大家都知道。

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