英飞凌科技股份公司前不久发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650vigbt系列。该系列trenchstop tm 5 auto igbt符合aec-q标准，可降低诸如车载充电、功率因数校正（pfc）、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车（ev）和混合动力汽车（hev）应用的功率损耗并提高其可靠性。
全新igbt系列阻断电压比前代汽车级igbt高50v。此外，得益于英飞凌trenchstop tm 5薄晶圆技术，该系列产品达到同类最佳效率。与现有的尖端技术相比，全新igbt的饱和电压（vce）降低了200mv，开关损耗减半，并且栅极电荷降低2.5倍。同时，由于开关损耗和导通损耗双双降低，与替代技术相比，全新igbt系列在相同的应用中结温和外壳温度更低。这不仅提高了器件的可靠性，而且最大程度降低了冷却需求。
通过使用trenchstop tm 5 auto igbt，电动汽车设计师可实现器件效率提升所带来的额外优势，即能够延长续航里程或缩小电池尺寸。对混合动力汽车来说，效率提高意味着降低总燃油消耗和减少二氧化碳排放。另外，trenchstop tm 5 auto igbt器件的卓越性能使得其能进入目前主要采用mosfet技术的应用，并为设计师提供基于不同半导体芯片技术的广泛选择。
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