据权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主，不再受制于人。
什么是第三代半导体？
首先，第一代半导体以硅、锗为代表，是目前大部分半导体的主要材料，发展成熟；而第二代半导体以砷化镓、磷化铟为代表，是4g时代的大部分通信设备的材料；我们现在说到的第三代半导体材料则是以氮化镓（gan）、碳化硅（sic）、氧化锌（zno）、金刚石为四大代表，性能优势在于耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。
按业内定义，第三代半导体材料带隙宽度明显大于硅（si）的宽禁带半导体材料，因其禁带宽度大于或等于2.3电子伏特，又被称为宽禁带半导体材料。其具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求。
在业内人士看来，第三代半导体更重要的意义是在功率器件领域，通过其特殊的材料特性，改进相关芯片及器件性能。
目前，德国的英飞凌、日本的罗姆和美国的transphorm都是第三代半导体的主要供应商，但根据目前我国对于国产供应的需求，许多中国半导体企业正在积极进行第三代半导体方面的部署，寻求自给自足。
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