10月19日，美光宣布已将业界领先的1β制程技术应用于16gb容量版本的ddr5内存，现已面向数据中心及pc市场的所有客户出货。
性能上，美光1β ddr5 dram提供速率从4800mt/s到7200mt/s的现有模块密度，并采用先进的high-kcmos器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高达50%，每瓦性能提升33%。
美光1β ddr5 dram支持计算能力向更高的性能扩展，能支持数据中心和客户端平台上的人工智能（ai）训练和推理、生成式ai、数据分析和内存数据库（imdb）等应用。
此外，美光的1β技术已应用至公司广泛的内存解决方案，包括采用16gb、24gb和32gb dram裸片的ddr5 rdimm和mcrdimm；采用16gb和24gb dram裸片的lpddr5x；hbm3e和gddr7。
dram先进制程进展如何？
随着多核cpu数量的增加，满足下一代带宽要求的压力变得更大，因此需要更高的内存技术。目前，dram先进制程技术已发展至第五代，10nm级别，美光称之为1β dram，三星等厂商称之为1b dram。
去年，美光正式量产1β dram，相较上一代的1α（1-alpha）制程，美光最新的1-beta制程功耗降低约15%，位元密度提升超过35%，每颗晶粒容量可达16gb。
1β是目前全球最先进的dram制程节点，随着1β量产出货，美光已经开始布局下一代技术研发。据悉，美光计划于2025年量产1γ dram，该制程将会先在台中有euv的制造工厂量产。
三星方面，今年5月，三星量产12nm级16gb ddr5 dram；9月，三星开发出基于12nm级工艺技术的32gb ddr5 dram，将于今年年底开始量产。
三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24gb（3gb）- 32gb（4gb），原生速度将在6.4-7.2gbp。三星透露，将于2026年推出ddr6内存，2027年即实现原生10gbps的速度。
据披露，三星正在开发行业内领先的11nm级dram芯片。李政培表示，三星正在为dram开发3d堆叠结构和新材料。
sk海力士方面，今年1月，sk海力士将第四代10nm级（1a）ddr5服务器dram适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器（4th gen intel® xeon® scalable processors），并在业界首次获得认证。
5月，sk海力士第5代10nm工艺1bnm已完成技术研发，采用“hkmg（high-k metal gate）”工艺，与1a ddr5 dram相比功耗减少了20%以上。并计划，明年上半年将把1b工艺扩大适用于lpddr5t、hbm3e等高性能产品。
来源：中自网
以上是网络信息转载，信息真实性自行斟酌。
