台积电计划在2025 年底前推出其 3d 结构小芯片技术的汽车级版本。

info-os 扇出技术将支持基板上的多个 soc 器件，第一个汽车小芯片工艺设计套件 (pdk) 将于今年年底推出，完整的 pdk 将于 2026 年初推出。

cowos-r 工艺将通过基板的中介层支持具有高性能 hbm 存储器的 soc。初始 pdk 很快就会推出，完整的 pdk 也将于 2026 年初推出。台积电昨天在其欧洲技术研讨会上表示，这些工艺将于 25 年第 4 季度通过 aec q100 grade2 认证。

cowos 平台包括最成熟的基于硅中介层的 cowos-s 和基于有机中介层的 cowos-l 和 r。汽车工艺建立在超过 150 个 cowos 客户产品流片的经验之上，截至本年底，已为超过 25 个客户提供服务。

汽车也是esmc 合资工厂的关键，该工厂将于今年晚些时候开始建设，并于 2027 年实现量产。esmc 是博世、英飞凌、恩智浦和台积电的战略合作和承诺，旨在为欧洲客户提供 n28 和 n16 工艺技术

性能优化的3nm有望量产

作为台积电春季技术研讨会系列第二站的一部分，该公司提供了有关其3 纳米级工艺当前和未来状态的最新信息。在当前一代 n3e 工艺的基础上，该工艺技术的光学微缩技术 n3p 现已有望在 2024 年下半年进入量产。得益于这种微缩，n3p 预计将提供更高的性能与 n3e 相比，效率更高，晶体管密度更高。

随着n3e 已经投入量产，台积电报告称，他们在第二代 3nm 级工艺说明上看到了“巨大”的良率。据该公司称，n3e 的 d0 缺陷密度与 n5 相当，与旧节点在其各自生命周期中同一点的缺陷率相匹配。考虑到开发最后一代、更精细的 finfet 技术会带来额外的复杂性，这绝非易事。因此，对于台积电的尖端客户（例如刚刚推出 m4 soc 的苹果公司）来说，这使他们能够相对较快地获得改进工艺节点的好处。

台积电一位高管在活动中表示：“n3e 按计划于去年第四季度开始量产。” “我们已经看到客户产品的出色产量表现，因此他们确实按计划进入了市场。”

台积电的n3e节点是n3b的宽松版本，消除了一些euv层并完全避免了euv双图案的使用。这使得生产成本更便宜，并且在某些情况下它扩大了工艺窗口和产量，尽管它是以一些晶体管密度为代价的。

同时，展望台积电的未来，n3p 已完成资格认证，其良率表现接近 n3e。作为光学微缩技术，n3p 节点将使处理器开发人员能够在相同漏电情况下将性能提高 4%，或者在相同时钟频率下将功耗降低 9%（之前范围在 4% 至 10% 之间，具体取决于设计） ）。新节点还将“混合”芯片设计的晶体管密度提高 4%，台积电将其定义为由 50% 逻辑、30% sram 和 20% 模拟电路组成的处理器。

虽然看起来最初的n3（又名 n3b）的生命周期相对平静，因为苹果是其唯一的主要客户，但 n3e 将被台积电的广泛客户采用，其中包括许多业界最大的芯片设计商。

由于n3p 是 n3e 的光学微缩版，因此它在 ip 模块、工艺规则、电子设计自动化(eda) 工具和设计方法方面与其前身兼容。因此，台积电预计大部分新流片将使用 n3p，而不是 n3e 或 n3。这是合乎逻辑的，因为 n3p 以比 n3 更低的成本提供比 n3e 更高的性能效率。

n3p 最重要的一点是，它有望在今年下半年投入生产，因此预计芯片设计人员会立即采用它。

“我们还成功交付了 n3p 技术，”台积电高管表示。“它已经通过了认证，良率表现接近n3e。[工艺技术]也已收到产品客户流片，并将于今年下半年开始生产。由于n3p的[ppa优势]，我们预计n3 上的大部分流片都流向了 n3p。”

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