近日,应中科院上海微系统所长王曦院士邀请,蓝光led发明人、美国加州大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)工程学院材料系中村修二(shuji nakamura)教授来访上海微系统所并作了学术报告。
中村修二教授的报告题目名为“recent advances in nonpolar and semipolar gan for blue and green laser diodes and leds”。报告中中村修二教授介绍了近期其团队在基于非极化和半极化gan的蓝/绿光激光二极管和led方面的研究工作及成果。中村修二教授及其团队利用该技术制作出超高亮度激光二极管和led,未来在高亮度照明、激光显示等应用上具有广阔前景。
中村修二教授的研究工作引起了上海微系统所研究人员的浓厚兴趣,报告结束后会场就中村修二教授所介绍的技术以及激光和led技术未来的发展趋势展开深入探讨。
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