近日，在对承担“功率型高亮度发光二极管（led）封装”课题的单位进行第一个节点综合考核评比中，北京大学、中科院半导体所、北京睿源科技有限公司联合承担的科技攻关项目，由于在关键技术上获得突破性进展而取得第一名。这一突破是在国家半导体照明工程攻关项目，国家“863”项目和北京大学“985”，“211”工程项目支持下取得的。
随着氮化镓基白光led科研和产业化的发展，一场照明光源的革命在本世纪初悄然兴起，成为世界各先进国家国科技领域竞争的焦点。2003年5月国家科技部高新技术发展及产业化司相关领导们专程到北京大学物理学院对白光led（发光二极管）照明光源问题进行调研，并检查了北京大学宽禁带半导体研究中心开展的氮化镓基半导体光电子材料和器件研究工作的情况。6月国家科技部正式启动“国家半导体照明工程”，同时，科技部紧急启动了“十五”国家重点科技攻关计划，“半导体照明产业化技术开发”攻关项目随即上马。全国在该领域的40余个科研单位和企业对此项目进行攻关。北京大学、 中科院半导体所、北京睿源联合承担了“功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术”课题。10月31日历时近一个月的现场动态检查、流片、统一标准的测试、封装和评比，经过专家组考核，在对全国承担大功率ｌｅｄ芯片封装和应用的单位进行第一个节点综合考核评比中，北京大学、半导体所、和北京睿源取得第一名。
北京大学宽禁带半导体研究中心还采用激光剥离技术，研发出我国第一只垂直结构、上下电极的蓝光led芯片，在应用光子晶体提高led出光效率方面，也获得突破性进展，居国内国际领先地位，为led照明芯片的进一步发展奠定了坚实的基础。
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