前不久，im flash初次亮相，首次推出50纳米nand闪存样片。而据分析师，英特尔与美光合资的这家nand闪存公司im flash不久之后，还会兴建一家新的300mm工厂，以跟上竞争对手的脚步。
美光(micron)目前正在利用其在美国爱达荷州boise的工厂向im flash供应nand闪存。美光在弗吉尼亚州manassas的300mm工厂将在今年稍晚的时候投产，届时也将向im flash供应nand闪存。而位于犹他州lehi的300mm工厂将专门用于满足im flash的需求，并作为im flash的总部。预计该工厂将于明年初开始生产nand闪存。
另一家工厂已酝酿了一段时间，它被视为im flash的第三家工厂。american technology research分析师doug freedman表示：“我们可以预计，未来3-4个月内将会发表关于这第三家工厂厂址的声明。”
freedman表示，美光manassas工厂的每周产量将上升到25,000个晶圆，而lehi工厂的产能将达到每周5,0000个晶圆。但是，im flash仍然需要继续扩大产能，并且有充分的理由。三星和toshiba-sandisk等对手都在扩大产能。freedman指出，“美光已量产90纳米mlc，其72纳米mlc也处于样品阶段，并预计2006年底到2007年初会大量出货。”
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