土城, 台北 –– 8月10日, 2009 ––亿光电子(tse:2393)推出三款新型高速度耦合器系列产品，8-pin dip型高速光耦合器(phototransistor optocoupler)。此多款新型系列搭载高绝缘电压(5000vrms, 1 minute) ，薄型的封装外型能够装设在受限制的空间中 (s1 option at 3.9mm max)以及提供宽度8mm 的外部爬电绝缘距离。

此系列中的1mb高速度光耦合器系列提供多样电流转换比率规格(multiple current-transfer-ratio (ctr)) 以及宽广的操作温度(-55 °c to +100 °c)。10mbd 逻辑闸(logic gate)高速度耦合器提供操作温度从-40 ˚c to +85 ˚c稳定的效能和可到达35ns的狭窄 pwd(pulse width distortion)。高增益达灵顿(high-gain split darlington)系列在1.6ma的低输入电流下可达到 2000%(typ.)电流转换比率。当设计线性接收器、提供模拟式讯号或数字型线路接地绝缘，或是抑制一般常见的噪声时，这些搭载关键的特性的光耦合器皆可以提供绝佳的使用。

1mbd 的高速光耦合器，包括6n135，6n136以及el4502，皆为光电二级体偏压和输出晶体管的收集者及搭载分离连结的功能。和传统光耦合器相比，此功能将大大增加传输的速度。 此系列也提供多样电流转换比率规格(ctr)范围，并且以高电压层次的传输转移取代传统脉冲波式传输。而6n137是一款10mbd 逻辑闸高速度光敏晶体管耦合器，搭配高速度光电积体线路侦测组件(high speed integrated photo detector)。应用在高数据传输能阻绝一般的外部噪声频率干扰。6n138及6n139是一款高增益达灵顿系列，它可以直接驱动在cmos电路上并且在低输入电流下提供高电流转换比率(ctrs). 此系列可应用在低功率消耗(low power consumption), 线路接地(ground isolation)及高瞬间抵抗噪声能力 (high transient immunity)的需求产品.

此8-pin dip devices系列，如同亿光其它的 dip型 optocouplers,皆可提供两种smd类型(s and s1)。除了在高度限制应用上可以省下空间之外，smd选项s1类型保留dip封装的隔离电压5,000vrms的需求优势。此多款系列产品皆符合(pb)-free和rohs-compliant无铅化的制程。将提供使用dip型光耦合器的需求者另一个绝佳的选择。

关于亿光电子:

身为台湾led封装产业中的龙头。2008年，无论是在总营收及营收成长上，亿光持续夺下台湾led产业第一。亿光拥有全系列的产品线，包括high power leds、lamps、smd leds、display及infrared等。

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