绝缘栅双极晶体管(iusulated gate bipolar transistor)简称igbt,是一种集bjt的大电流密度和mosfet等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
品牌商用电磁炉采用技术领先的德国“infineon”研发的igbt模块,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
igbt模块是品牌商用电磁灶能源变换与传输的核心器件,是商用电磁炉的电力电子装置的“cpu”。
目前有用不同材料及工艺制作的igbt,品牌商用电磁炉采用的igbt模块,克服了功率mosfet的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。
igbt模块具有电流密度大、输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单等特点。低导通电阻使得品牌大功率电磁炉在3秒内达到烹饪温度,高击穿电压,安全工作区大,令电磁炉在瞬态功率较高时不会受损坏。
igbt是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率mosfet的自然进化,将场控型器件的优点与gtr的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。
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