东芝电子元件及存储装置株式会社（"东芝"）今日宣布，推出新款1200v碳化硅（sic）mosfet---"tw070j120b"。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并于今日开始出货。
该功率mosfet采用碳化硅（sic）这种新材料，与常规的硅（si）mosfet、igbt产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
新产品采用了可提高碳化硅mosfet可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1]，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200v硅绝缘栅双极晶体管（igbt）"gt40qr21"相比，"tw070j120b"关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70%，并且能够在不超过20a[2]的漏极电流下提供低导通电压。
它的栅阈值电压被设置在4.2v至5.8v的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（sbd）也有助于降低功率损耗。
在大容量ac-dc转换器、光伏逆变器、大容量双向dc-dc转换器等工业应用中，这种新型mosfet不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。
应用：
●大容量ac-dc转换器
●光伏逆变器
●大容量双向dc-dc转换器
特性：
●第2代芯片设计（内置碳化硅sbd）
●高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：
vdss＝1200v，ciss＝1680pf（典型值），qg＝67nc（典型值），
rds（on）＝70mω（典型值），vdsf＝-1.35v（典型值），vth＝4.2～5.8v
●增强类型易于操作
主要规格：
（除非另有说明，@ta＝25℃）
器件型号
tw070j120b
封装
to-3p(n)
绝对最大额定值
漏-源电压vdss（v）
1200
漏极电流（dc）id@tc＝25℃（a）
36.0
电气特性
漏-源导通电阻rds（on）典型值
@vgs＝20v（mω）
70
栅阈值电压vth
@vds＝10v，id＝20ma（v）
4.2至5.8
总栅电荷qg典型值（nc）
67
输入电容ciss典型值（pf）
1680
二极管正向电压vdsf典型值
@idr＝10a，vgs＝-5v（v）
-1.35
来源：机智网
以上是网络信息转载，信息真实性自行斟酌。
