2021年6月23日—推动高能效创新的安森美半导体 (on semiconductor，美国纳斯达克上市代号：on)，推出业界首款专用临界导通模式 (crm) 图腾柱pfc控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。

在传统的pfc电路中，整流桥二极管在240 w电源中的损耗约4 w，占总损耗的20%左右。相比之下，pfc级的能效通常为97%，llc电路实现类似的性能。然而，用 "图腾柱 "配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压pfc功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效。此外，ncp1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅mosfet还是碳化硅 (sic) 或氮化镓 (gan) 等宽禁带开关。

新的 ncp1680 crm 图腾柱 pfc 控制器采用新颖的电流限制架构和线路相位检测，同时结合经验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱 pfc方案，而不影响性能。该 ic 的核心是内部补偿数字环路控制。该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间 crm 架构。由于内置非连续导通模式 (dcm)，在频率返走工作期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包括那些要求在轻载下提供高能效的标准。

该高度集成的器件可使电源设计在通用电源 (90 至 265 vac) 下以高达350 w的建议功率水平工作。在 230 vac 电源输入下，基于 ncp1680 的 pfc 电路能够在 300 w实现近 99% 的能效。在外部只需几个简单的器件即可实现全功能图腾柱 pfc，从而节省空间和器件成本。 进一步减少器件数，实现逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。

ncp1680采用小型soic-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱pfc设计。

根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，ncp1680 可与 ncp51820 半桥 gan 高电子迁移率晶体管 (hemt) 门极驱动器或 ncp51561 隔离型 sic mosfet 门极驱动器一起使用。 ncp51561 是隔离型双通道门极驱动器，具有 4.5 a 源电流和 9 a 灌电流峰值能力。新器件适用于硅功率 mosfet 和基于 sic 的 mosfet 器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的 5 kvrms (ul1577 级) 电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。一个使能引脚将同时关断两个输出，且 ncp51561 提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定 (uvlo) 和使能功能。

安森美半导体提供阵容广泛的 sic mosfet，它们比硅 mosfet 提供更高能效。低导通电阻 (rds(on)) 和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷 (qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。 安森美半导体已发布采用 to-247-4l 和 d2pak-7l 封装的 650 v sic mosfet，并将继续猛增该产品系列。 此外，安森美半导体提供完整的硅基 650 v superfet® iii mosfet 产品组合。

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