7月19日，高可靠性、高性能氮化镓(gan)电源转换产品的先锋和全球供应商transphorm, inc. (nasdaq: tgan) 宣布，新增的tp65h050g4bs器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(smd)是一款采用to-263 (d2pak) 封装的650v supergan®场效应晶体管 (fet)，典型导通阻抗为50mohm。tp65h050g4bs是transphorm的第七款smd，丰富了目前面向中低功率应用的pqfn器件。

tp65h050g4bs通过了jedec认证，为设计者和制造商提供了多项优势，赋能他们开发通常用于数据中心和广泛工业应用的高功率(数千瓦到几千瓦)系统。它具有transphorm一流的可靠性、栅极稳健性(±20 vmax)和抗硅噪声阈值(4v)，以及氮化镓技术所具备的易设计性和驱动性能。工程师们需要使用较大的d2pak来满足更高的功率和表面贴装封装需求。与pqfn封装相比，d2pak可以实现更好的热性能，同时帮助用户通过单一的制造流程提高pcb组装效率。

d2pak可作为分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高transphorm的2.5kw ac-dc无桥图腾柱功率因素校正(pfc)评估板tdttp2500b066b-kit的功率密度。它还可以切换至1.2kw同步半桥tdhbg1200dc100-kit评估板，以驱动多千瓦功率。

transphorm全球营销、应用和业务发展高级副总裁philip zuk表示：“d2pak是对我们产品组合的一个重要补充。它将我们的smd产品的可用性拓展至高功率领域，而之前我们用通孔器件支持这些应用。客户可获得我们氮化镓平台的多项优势，如熟悉的to-xxx封装消除了设计挑战、简化了系统开发并加快了产品上市速度。”

transphorm是当前提供标准to-xxx封装的高压氮化镓器件的唯一氮化镓供应商。值得注意的是，鉴于其固有的栅极损坏敏感性，这些封装产品不支持替代性的增强型氮化镓技术。

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