日前，vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，推出采用薄型powerpak® 10 x 12封装的新型第四代600 v ef系列快速体二极管mosfet---sihk045n60ef。vishay siliconix n沟道 sihk045n60ef导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 v mosfet的重要优值系数(fom)创业界新低。

vishay提供丰富的mosfet技术以支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。随着sihk045n60ef的推出，以及其他第四代600 v ef系列器件的发布，vishay可满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正(pfc)以及其后的dc/dc转换器模块。典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电(hid)灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。

sihk045n60ef基于vishay高能效e系列超结技术，10 v条件下典型导通电阻仅为0.045 ω，比powerpak 8 x 8封装器件低27 %，从而提高了额定功率，支持≥ 3 kw的各种应用，同时器件高度低至2.3 mm，增加了功率密度。此外，mosfet超低栅极电荷降至70 nc。器件的fom为3.15 ω*nc，比同类中最接近的mosfet竞品低2.27 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源提高能效。器件满足服务器电源钛效率的特殊要求，或通信电源达到98%的峰值效率。

sihk045n60ef有效输出电容co(er) 和co(tr) 分别仅为171 pf和1069 pf，可改善零电压开关(zvs)拓扑结构开关性能，如llc谐振转换器。器件的co(tr) 比同类中最接近的mosfet竞品低8.79 %，而其快速体二极管的qrr低至0.8 μc，有助于提高桥式拓扑结构的可靠性。此外，mosfet的powerpak 10 x 12封装具有任何表面贴装的出色热性能，最大结-壳热阻额定值为0.45 °c/w。sihk045n60ef热阻抗比powerpak 8 x 8封装器件低31%。

日前发布的mosfet符合 rohs和vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值 100% 通过 uis 测试。

（vishay）

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