中国 北京，2023 年3 月21 日 —— 全球领先的连接和电源解决方案供应商 qorvo® (纳斯达克代码：qrvo)今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (toll) 封装技术，其高性能具体表现在：750v sic fet 拥有全球最低的5.4 (mω) 的导通阻抗。这也是 qorvo 公司 750v sic fets 产品 toll 封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mω 到 60 mω。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100a 的固态继电器和断路器。有助于帮助客户减小体积尺寸，提高功率密度。

在 600 / 750v 这一层次电压功率 fets 类别中，qorvo 第四代 (gen 4) sic fets 产品的主要性能：比如导通电阻和输出电容方面领先业界。此外，在 toll 封装中，qorvo 的器件具有最低 5.4 mω 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 si mosfets、sic mosfets 和 gan 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10 倍。sic fets 的 750v 额定电压也比其它的一些替代技术高100-150v，为客户产品应用中的开关管电压瞬变尖峰提供了更多的设计裕量。

qorvo 电源器件事业部首席工程师 anup bhalla 表示：“在 toll 封装中推出我们的 5.4 mω gen4 sic fet 旨在为行业提供最佳性能器件以及多种器件选择，为此我们已迈出重要的一步，尤其对于从事工业应用的客户，他们需要这种灵活性和提升成本效益的电源设计组合。”

toll 封装与 d2pak 表面贴装器件相比，尺寸减少了 30%，高度为 2.3mm，相当于同类产品的一半。尽管尺寸缩小，但先进的制造技术实现了行业领先的 0.1℃ / w热阻(从结到壳)。导通直流电流额定值最大为 120a，此时对应的壳温为 144℃，在 0.5 毫秒时间内，脉冲冲击电流最大值可以达到 588a。结合极低的导通电阻和出色的瞬态散热能力，qorvo 的 750v toll 封装产品的“i2t”值比同一封装的 si mosfet 高出约 8 倍，有助于提高客户产品的鲁棒性和抗瞬态过载能力，同时也简化了设计。toll 封装还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。

这些第四代 sic fet 利用 qorvo 独特的 cascode 电路结构(即共源共栅)，将 sic jfet 与 si mosfet 共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 si mosfet 简化的门级驱动的优势。

现在可使用 qorvo 免费在线工具 fet-jet 计算 toll 封装的 gen4 5.4mω sic fet，该计算器可以立即评估各种交流 / 直流和隔离 / 非隔离的dc / dc转换器拓扑连接的效率、元器件损耗和结温上升。可将单个和并联的器件在用户指定的散热条件下进行对比，以获取最佳解决方案。

3 月 19 日至 23 日，该系列产品于位于佛罗里达州奥兰多举行的应用电源电子产品会议 (apec) 上展示，qorvo 展位号 632。

（qorvo）

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