东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出业界首款[1]2200v双碳化硅(sic)mosfet模块---“mg250yd2yms3”。新模块采用东芝第3代sic mosfet芯片，其漏极电流(dc)额定值为250a，适用于光伏发电系统和储能系统等使用dc 1500v的应用。该产品于今日开始支持批量出货。

类似上述的工业应用通常使用dc 1000v或更低功率，其功率器件多为1200v或1700v产品。然而，预计未来几年内dc 1500v将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200v产品。

mg250yd2yms3具有低导通损耗和0.7v(典型值)的低漏极-源极导通电压(传感器)[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mj(典型值)[3]和11mj(典型值)[3]，与典型的硅(si)igbt相比降低了约90%[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于mg250yd2yms3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。

东芝将不断创新，持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

● 应用：

工业设备

- 可再生能源发电系统(光伏发电系统等)

- 储能系统

- 工业设备用电机控制设备

- 高频dc-dc转换器等设备

● 特性：

- 低漏极-源极导通电压(传感器)：

vds(on)sense=0.7v(典型值)(id=250a、vgs=+20v、tch=25℃)

- 低开通损耗：

eon=14mj(典型值)(vdd=1100v、id=250a、tch=150℃)

- 低关断损耗：

eoff=11mj(典型值)(vdd=1100v、id=250a、tch=150℃)

- 低寄生电感：

lspn=12nh(典型值)

● 主要规格：

(除非另有说明，ta=25℃)

注：

[1] 采样范围仅限于双sic mosfet模块。数据基于东芝截至2023年8月的调研。

[2] 测量条件：id=250a、vgs=+20v、tch=25℃

[3] 测量条件：vdd=1100v、id=250a、tch=150℃

[4] 截至2023年8月，东芝对2300v si模块和新型sic mosfet芯片mg250yd2yms3开关损耗进行比较(2300v si模块的性能值是东芝根据2023年3月或之前发表的论文做出的预估)。

（东芝）

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