日前，威世科技vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，推出新型第四代650 v e系列功率mosfet---sihp054n65e，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。vishay siliconix n沟道 sihp054n65e导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 v mosfet在功率转换应用中的重要优值系数(fom)。

vishay丰富的mosfet技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着sihp054n65e的推出，以及其他第四代600 v e系列器件的发布，vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求，包括功率因数校正(pfc)和后面的dc/dc转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储;ups;高强度放电(hid)灯和荧光镇流器;太阳能逆变器;焊接设备;感应加热;电机驱动;以及电池充电器。

sihp054n65e采用vishay先进的高能效e系列超级结技术，10v下典型导通电阻仅为0.051 ω，从而提高额定功率支持 2 kw以上的各种应用，器件满足符合开放计算项目open rack v3(orv3)标准的需求。此外，这款mosfet超低栅极电荷下降到 72nc。器件的fom 为3.67 ω*nc，比同类接近的竞品mosfet 低1.1 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而达到节能效果，提高能效。器件满足服务器电源钛效应的特殊要求，或通信电源达到96%的峰值效率。

日前发布的mosfet有效输出电容 co(er) 和co(tr) 典型值分别仅为115 pf和 772 pf，可改善硬开关拓扑结构开关性能，如pfc、半桥和双开关顺向设计。器件的电阻与 co(tr) 乘积fom低至5.87 w*pf达到业内先进水平。sihp054n65e采用to-220ab封装，提高了dv/dt耐用性，符合rohs和vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式下电压瞬变，并保证极限值100 %通过uis测试。

sihp054n65e现可提供样品并已实现量产，关于供货周期的信息，请与当地销售部联系。

（vishay）

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