日前，威世科技vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，推出五款采用改良设计的int-a-pak封装新型半桥igbt功率模块---vs-gt100ts065s、vs-gt150ts065s、vs-gt200ts065s、vs-gt100ts065n和vs-gt200ts065n。这些新型器件采用vishay的trench igbt技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低vce(on) 或低eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的trench igbt，与具有超软反向恢复特性的第四代fred pt®反并联二极管封装在一起。模块小型int-a-pak封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。

这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备;发电、配电和储电系统;焊接设备;电机驱动器和机器人。为降低tig焊机输出级导通损耗，vs-gt100ts065s、vs-gt150ts065s和vs-gt200ts065s在+125 °c，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 v，达到业内先进水平。vs-gt100ts065n和vs-gt200ts065n适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °c，额定电流下，eoff仅为1.0 mj。

模块符合rohs标准，集电极至发射极电压为650 v，集电极连续电流为100 a至200 a，结到外壳的热阻极低。器件通过ul e78996认证，可直接安装散热片，emi小，减少了对吸收电路的要求。

器件规格表：

新型igbt功率模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为15周。

（来源：vishay）

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