日前，威世科技vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，推出新型80 v对称双通道n沟道功率mosfet---sizf4800ldt，将高边和低边trenchfet® gen iv mosfet组合在3.3 mm x 3.3 mm powerpair® 3x3fs单体封装中。vishay siliconix sizf4800ldt适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。

日前发布的双通道mosfet可用来取代两个powerpak 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点(pol)转换器、dc/dc转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，sizf4800ldt高低边mosfet提供50%占空比优化组合，同时4.5 v下逻辑电平导通简化电路驱动。

为提高功率密度，该mosfet 在4.5 v条件下导通电阻典型值降至18.5 mw，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。sizf4800ldt低导通电阻与栅极电荷乘积，即mosfet功率转换应用重要优值系数(fom)为 131mw*nc，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。

器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品mosfet低54 %。sizf4800ldt导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 a，比接近的竞品器件高38 %。 mosfet独特的引脚配置有助于简化pcb布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。sizf4800ldt经过100% rg和uis测试，符合rohs标准，无卤素。

竞品对比表：

sizf4800ldt现可提供样品并已实现量产，供货周期为26周。

（来源：vishay）

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