武汉全力保障国家存储器基地建设 国产闪存发展提速

去年中国进口的3000多亿美元的半导体芯片中，存储芯片就占了三分之一左右，价值上千亿美元的芯片基本上没有国产的份儿，国内科技产业存在被卡脖子的可能性，所以发展国产存储芯片已经是刻不容缓的大事了。

过去两年里国内投巨资在武汉建设了国家存储器基地，负责实施这个计划的是长江存储科技公司。根据官网资料，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3d nand闪存芯片设计、生产和销售的idm存储器公司。

2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3d nand闪存芯片。长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为全球领先的nand闪存解决方案提供商。

日前湖北日报报道称，湖北省委副书记、省长王晓东、武汉市长周先旺等高官赴国家存储器基地调研并现场办公，王晓东强调在武汉建设国家存储器基地，是党中央作出的重大决策部署。

王晓东要求长江存储把握变局、克难奋进，抢抓新一轮科技革命和产业变革的历史机遇，以国家先进存储产业创新中心和国家半导体三维集成制造创新中心为依托，引进培育高端科研人才和团队，加快芯片全流程智能化制造和国产化进程，着力构建以芯片为基础的“芯屏端网”产业链，努力在应对风险中攻克难关、在主攻重点中打造“产业航母”，加快培育发展集成电路产业集群。

根据长江存储之前公布的消息，长江存储斥资10亿美元研发成功国产3d nand闪存，全年小规模试产了32层堆栈的64gb闪存，今年的目标是量产64层堆栈的3d nand闪存，再下一代则会直接进入128层堆栈，跳过了三星、美光、东芝、intel等公司现在力推的96层堆栈闪存，这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。

去年长江存储推出了xtacking结构的3d nand闪存技术，该技术将为3d nand闪存带来前所未有的i/o高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。长江存储今年8月份将会推出xtacking 2.0闪存技术，xtacking依然会不断进化中。

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