日前，vishay intertechnology, inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm powerpak? so-8单体封装的---sir680adp，它是80 v trenchfet? 第四代n沟道功率mosfet。vishay siliconix sir680adp专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中mosfet的重要优值系数（fom）为129 m *nc，达到同类产品最佳水平。

日前发布的器件10 v条件下导通电阻典型值降至2.35 mω，超低栅极电荷仅为55 nc，coss为614 pf。这些改进后的技术规格，经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗，从而提高能效。这款mosfet的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（fom）比紧随其后的竞争产品低12.2 %，比前代器件低22.5 %，使其成为典型48 v输入，12 v输出dc/dc转换器最高效的解决方案。

sir680adp可作为模块用于各种dc/dc和ac/dc转换应用，如同步整流、原边开关、降压-升压转换器，谐振回路开关转换器以及系统or-ing功能，适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

新款mosfet经过100 % rg和uis测试，符合rohs标准，无卤素。

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