富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为mb85rs2mly的全新2mbit fram，可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1.7v至1.95v，配有串行外设接口（spi）。目前可为客户提供评测版样品，将在6月实现量产。

这款全新fram产品是汽车电子电控单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求，如adas。

图1：mb85rs2mly 8pin dfn 封装

图2：应用实例（adas）

fram的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于eeprom和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的fram。

自2017年以来，富士通电子不断推出工作电压3.3v或5v的64kbit~2mbit的汽车级fram产品。但高端汽车电控单元的推出，使得一些客户开始要求fram的工作电压低于1.8v。富士通电子近日推出的这款全新fram正是为了满足这一市场需求而面世的。

mb85rs2mly在-40°c至+125°c温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用，比如连续10年每天每0.1秒记录一次数据，则写入次数将超过30亿。另外，这款产品可靠性测试符合aec-q100 grade 1标准，达到汽车级产品的认证标准。因此，在数据写入耐久性和可靠性方面，富士通电子最新推出的这款fram完全支持adas等需要实时数据记录的应用。

这款fram产品采用业界标准8-pin sop封装，可轻松取代现有类似引脚的eeprom。此外，还提供外形尺寸为5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin dfn（无引线双侧扁平）封装。

图3：8pin dfn和8pin sop封装

除2mbit fram，富士通电子目前正在研发125°c温度系列容量为4mbit的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。

关键规格

o组件型号：mb85rs2mly

o容量（组态）：2mbit（256kx8位）

o接口：spi（serialperipheralinterface）

o运作频率：最高50mhz

o运作电压：1.7伏特-1.95伏特

o运作温度范围：摄氏零下40度-摄氏125度

o读∕写耐用度：10兆次(1013次)

o封装规格：8-pinsop与8-pindfn

o认证标准：符合aec-q100grade1

词汇与备注

注一：铁电随机存取内存（fram）

fram是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。fram结合了rom和ram的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产fram，亦称为feram。

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