富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为mb85rs4mty的4mbit fram，其容量达到fram产品最高水平，运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。

这款全新fram是非易失性内存产品，在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（adas）等汽车应用的最佳选择。

fram的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于eeprom和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

自去年发布以来，2mbit fram mb85rs2mty已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而mb85rs4mty将其容量提高了一倍，达到4m bit，满足更高容量的需求，配有spi接口，工作电压为1.8v至3.6v。由于这款fram工作电流低，即使在125℃高温下，最大工作电流仅为4ma（运作频率50mhz），最大掉电模式电流为30?a，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。

这款全新fram在-40℃至+ 125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如，每0.03毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达10年之久。

这款fram产品采用业界标准8-pin sop封装，可轻松取代现有类似引脚的eeprom。此外，还提供8-pin dfn（无引线双侧扁平）封装。

图1：mb85rs4mty 8-pin dfn（顶部·底部）

图2：fram应用实例

富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。

关键规格

o组件型号：mb85rs4mt

o容量（组态）：4 mbit（512k x 8位）

o接口：spi（serial peripheral interface）

o运作频率：最高50 mhz

o运作电压：1.8v - 3.6v

o运作温度范围：-40°c - +125°c

o读/写耐久性：10兆次（1013次）

o封装规格：8-pin dfn，8-pin sop

以上是网络信息转载，信息真实性自行斟酌。