日前，vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，首度推出-30 v p沟道功率mosfet---sira99dp，10 v条件下导通电阻降至1.7 mw。vishay siliconix trenchfet®第四代sira99dp导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm powerpak® so-8单体封装，专门用来提高功率密度。

日前发布的mosfet导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。sira99dp超低栅极电荷仅为84 nc，栅极电荷与导通电阻乘积，即开关应用中mosfet的重要优值系数 (fom) 为185 mw*nc，达到同类产品最佳水平。

器件是输入电压12 v电路的理想选择，适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 or-ing功能，以及电信设备、服务器、工业pc和机器人的电机驱动控制。sira99dp减少并联器件数量，换句话说，加大单个器件电流，从而提高功率密度，节省这些应用的主板空间。此外，作为p沟道mosfet，器件不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。

这款mosfet经过rg和uis测试，符合rohs标准，无卤素。

sira99dp现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周，视市场情况而定。

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