日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出新型200v n沟道mosfet---siss94dn，器件采用热增强型3.3mm x 3.3 mm powerpak® 1212-8s封装，10 v条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mω。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即mosfet开关应用重要优值系数（fom）为854 mω*nc。节省空间的vishay siliconix siss94dn专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。

日前发布的trenchfet®第四代功率mosfet典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20%，fom比上一代解决方案低17%。这些指标降低了导通和开关损耗，从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗，但体积大的mosfet，节省pcb空间，或尺寸相似但导通损耗高的mosfet。

siss94dn适用于隔离式dc/dc拓扑结构原边开关和同步整流，包括通信设备、计算机外设、消费电子； 笔记本电脑、led电视、车辆船舶led背光；以及gps、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。

器件经过100 % rg和uis测试，符合rohs标准，无卤素。

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