日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出新款通过aec-q101认证的100 v p沟道trenchfet? mosfet---sqj211elp，用以提高汽车应用功率密度和能效。vishay siliconix sqj211elp不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型powerpak? so-8l封装器件，而且10 v条件下其导通电阻仅为30 m ，达到业内优异水平。

日前发布的新款汽车级mosfet与最接近的dpak和d2pak封装竞品器件相比，导通电阻分别降低26 %和46 %，占位面积分别减小50 %和76 %。sqj211elp低导通电阻有助于降低导通功耗，从而节省能源，10 v条件下优异的栅极电荷仅为45 nc，减少栅极驱动损耗。

这款新型mosfet可在+175°c高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和led照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，sqj211elp鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（aoi）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。

器件100 v额定值满足12 v、24 v和48 v系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外，作为p沟道mosfet，sqj211elp可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需电荷泵。 mosfet采用无铅（pb）封装、无卤素、符合rohs标准，经过100 % rg和uis测试。

sqj211elp现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。

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