今年第三季度,nand闪存依然处于供给吃紧的状态,主要是颗粒厂面向3d工艺的转型步伐较慢,低于预期。
而需求方面,手机、服务器、数据中心依然表现强势。
不过,来自集邦咨询半导体研究中心(dramexchange)的最新报告称,在明年,nand闪存的市场将达到一种稳态局面。其中,供给侧的产能将提升42.9%,而需求侧,增长预计在37.7%。
目前在3d闪存方面,三星的转产最为顺利,已经在q3开始量产64层堆叠,而其它厂商的64层甚至72层则仍需要2018年落地。
据悉,在明年的所有3d闪存中,3d闪存出货的占比预计将最高可达70%,其中三星预计60%——70%、sk海力士预计40%——50%、东芝预计50%、美光/intel合计预计在40%——50%。
来源:快科技
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