第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。

我国是全球第二大经济体，经济发展已经迈上高质量发展阶段。提高关键核心技术创新能力，关乎经济高质量发展和国家民族未来。中兴事件的兴起，中美贸易事件的发酵，反面折射出了半导体等核心零部件技术的薄弱，一时引起了社会尤其中国科技界的深思。

要想摆脱“卡脖子”的残酷命运，我国高端核心技术的发展还需要更多自主创新。材料强国是科技强国的基础，第三代半导体材料扮演着愈发关键的角色，也正日益成为国际、国内科技和产业竞争的核心领域之一。

基于高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，第三代半导体材料更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。在移动通讯、能源互联网、新能源汽车、轨道交通、以至国防军备等产业，日逐成为美、欧、日各国竞相布局的重要领域。

目前，我国第三代半导体已列入2030年国家新材料重大项目七大方向之一，正处于研发及产业化发展的关键期。打破垄断、提高国产化率生产，力争实现半导体设备自主可控。为此，《“十三五”材料领域科技创新专项规划》、《半导体照明节能产业发展意见》、《半导体照明节能产业规划》、《半导体管特性图示仪校准仪校准规范》、《半导体照明设备和系统的光辐射安全测试方法》等国家政策、方法标准密集发布，在促进半导体产业发展方面成效显著。

近日，863计划“第三代半导体器件制备及评价技术”项目通过验收。项目开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术；开展第三代半导体封装和系统可靠性研究，形成相关标准或技术规范；制备出高性能sic基gan器件。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的sic和gan材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破，自主发展出相关材料与器件的关键技术，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

第三代半导体创新发展时机成熟，有望实现全产业链，进入世界先进行列。除了政策支持，我国也成立了集成电路产业基金，“大基金”的投资项目覆盖了集成电路的制造、设计、材料设备、封装测试等环节，大力投资必会带动国内半导体设备行业的快速发展。

另一方面，我国精密加工技术和配套能力进步迅速，已经具备开发并且逐步主导第三代半导体装备的能力。全国多地积极响应，促进地方产业转型升级。近日，芜湖市印发了《芜湖市加快微电子产业发展政策规定（试行）》的通知。该微电子产业发展政策针对第三代半导体企业购买ip、参与研发多项目晶圆等做出了详细的扶持说明。深圳正实施新一轮创新发展战略布局，机器人、无人驾驶、等新兴产业日新月异，坪山区将依托5g试点，建设第三代半导体产业集聚区。

尽管发展形势一片良好。但第三代半导体产业核心材料、器件原始创新能力薄弱；体制机制不够完善；缺乏公共研发、服务及产业化的平台。对半导体企业而言，应发挥区域优势，差异化布局，避免重复投入和恶性竞争。围绕第三代半导体光电材料、装备、器件及创新应用，实现全产业链协同创新和产业集群式、高质量发展。

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