日前，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目在北京正式宣布启动。

该项目由北京大学牵头，联合清华大学、北京邮电大学、西安电子科技大学、广东省半导体产业技术研究院、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院半导体研究所、合肥彩虹蓝光科技有限公司等14家单位共同承担。

项目将围绕后摩尔时代信息领域对分立光电子和电子器件的需求，开展基于氮化物半导体新结构材料和新功能器件的研究，重点突破氮化物半导体的零维量子点、一维量子线和二维量子阱及其复合结构等低维量子结构的制备等，为第三代半导体材料和器件的持续发展奠定基础。

2016年，国家启动了“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，这是科技部高技术研究发展中心负责管理的25个专项之一。该专项按照第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料4个技术方向，共部署35个研究任务，实施周期为5年（2016-2020 年）。

资料显示，面向上述4个技术方向，该重点专项在2016 年已启动15个研究任务的27个项目，2017年已启动15个研究任务的37个项目，2018年启动5个研究任务，拟支持12-24 个项目，拟安排国拨经费总概算为1.77亿元。

这次启动的“氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目属于2018年5个研究任务之一“第三代半导体新结构材料和新功能器件研究”中的项目，项目若顺利完成，将有利于推动我国在宽禁带半导体材料和器件领域的进一步发展。

以氮化镓、碳化硅为主的第三代半导体具备高频高效、抗辐射能力强等优越性能，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，成为了全球各国争先抢占的战略制高点。近年来，中国第三代半导体技术研究机产业发展受到了央地政府的高度重视，相继出台多项政策支持。

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