在设计服务器和数据中心电源时，设计人员除了需要考虑提升能效和功率密度，还要确保尽可能高的安全性和可靠性，这带来一系列挑战，如无安全工作区(soa)的顾虑、和诊断及响应等功能安全等等。安森美半导体提供高效、可靠和紧凑的efuse方案阵容，包括3 v至12 v电源范围和即将推出的24 v、48 v efuse，帮助设计人员解决这些挑战。这些efuse内置实时诊断功能、精密控制和多重保护特性，响应快，性能和可靠性优于竞争对手。

本文引用地址：

efuse简介、特性及目标应用

efuse集成过流、过热及过压保护，提供电流检测、故障报告、输出开关控制、反向电流保护、对地短路保护、电池短路保护、可复位，用于任何热插拔应用和需要限制过冲电流的系统，以防止损坏连接器、pcb布线和下游器件。

efuse对比传统熔丝和ptc自恢复保险丝

通常有熔断熔丝、正温系数(ptc)自恢复保险丝、热插拔控制器、efuse等限流保护方案。以1个 w、20 a的直流电源为例，采用熔断熔丝和ptc自恢复保险丝的方案的电流尖峰可分别高达80 a和58 a，而采用efuse的方案的电流尖峰仅7 a。

熔断熔丝是一次性的，在一次高电流事件熔断后必须更换。ptc自恢复保险丝在正常工作时为低阻状态，当短路发生时，ptc自恢复保险丝变热并从低阻状态转向高阻状态，从而提供保护功能，当故障排除后，ptc自恢复保险丝冷却并复位为低阻状态。与熔断熔丝和ptc自恢复保险丝不同，efuse不是完全基于变热来限流，而是通过测量电流，若电流超过规定限值，则限制电流为预设值，后在过热时关断内部开关。与传统熔丝相比，efuse有以下显著的优势：

·过温运行时的参数变化最小

·故障后不会毁坏

·可调整的电流限制

·使能引脚导通或关断器件

·故障引脚报告已发生的故障以控制逻辑电路或其它电源轨

·软启动以限制浪涌电流

·电压钳位，防止负载受电压尖峰影响

·闩锁或自动复位选择，若负载恢复则一切将复位，无需重启电源

·反向电流阻断

表1列出了efuse相较聚合物正温系数(pptc)自恢复保险丝的优势。

800 179 >

表1：efuse对比pptc自恢复保险丝

efuse对比热插拔控制器

热插拔控制器虽提供先进的特性和诊断，可通过使用不同的fet增加电流限值，具有严格的容限电流，但难以保证在soa运行，且价格更高。 efuse可确保始终在soa内运行，提供实时热反馈，可通过并联efuse增加电流限值，节省占板空间，并提供更高性价比。

efuse易于并联以增加输出电流能力

在实际应用中，系统的工作电流可能高于efuse规定的电流负荷，我们可通过并联efuse来增加输出电流能力。在设计中，我们将efuse的使能(enable)引脚和故障(fault)引脚并联在一起，安森美半导体的efuse具有独特的三态使能/故障引脚，高电平代表正常运行，中电平代表热关断模式，低电平代表输出完全关断。

358 >

图：12 v efuse并联演示

安森美半导体高效、可靠、紧凑的efuse阵容

在3 v至5 v电源范围，安森美半导体的efuse主要有nis5135、nis5452并即将推出nis2205、nis2x5x、nis3x5x、nis6452、nis6150、nis6350、nis800x，导通阻抗从33 mΩ至200 mΩ，电流从1 a至5 a。其中，nis6452、nis6150、nis6350集成反向电流阻断(rcp)特性，nis6150、nis6350还通过汽车级aeq-q100认证。值得一提的是，nis6x50还集成新的特性imon，通过在imon引脚和gnd之间连接1个电阻，以将imon电流转换为对地参考电压，从而实现电流监控。

针对12v电源，安森美半导体主要提供nis5020/nis5021、nis5820、nis5232、nis2x2x并即将推出nis5420、nis2402和nis3220，导通阻抗从14 mΩ至100 mΩ，电流从2.4 a至12 a。其中，nis5020没有imon引脚，但可通过检测rlim电压测量负载电流，从而实现系统级增强，相关的应用注释可参见and9685/d。

218 >

图：nis5020通过检测rlim 电压测量负载电流

在热插拔时，电源输入级通常易遭受电压尖峰和瞬态，安森美半导体的efuse集成过压保护，可提供快速响应，限制输出电压，从而不易受电压瞬态的影响。有些应用要求延迟热插入后的输出导通，以使输入电压稳定，相关的应用注释可参见and9672/d。

图：12 v efuse热插拔启动延迟实现系统级增强

此外，安森美半导体即将推出24 v nis6124和48 v大电流efuse，nis6124针对24至36 v 提供40 v耐压，48 v系列的特性有：高边efuse 过流关断，48v 应用达80v 峰值输入电压，直流能力超过120 a并可通过增添mosfet扩展电流能力，容性负载的有源励磁涌流限制，v2自动重试功能。48 v efuse可立即测试，可根据需求简化或修改pcb，可用作参考设计。

可靠性测试

安森美半导体的efuse都经重复短路可靠性测试(aec-q100-012)。试验在25°c和-40°c条件下进行，以提供最高热偏移和应力，运行10万至100万个周期，结果都无功能问题且导通阻抗或其它参数都无变化。与竞争对手相比，安森美半导体的efuse的浪涌性能都更出色。

总结

以上是网络信息转载，信息真实性自行斟酌。